Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIHD12N50E-GE3
MOSFET N-CHAN 500V DPAK
Číslo dílu
SIHD12N50E-GE3
Výrobce/značka
Série
E
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TA)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-PAK (TO-252AA)
Ztráta energie (max.)
114W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
550V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
380 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
886pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22596 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHD12N50E-GE3
SIHD12N50E-GE3 Elektronické komponenty
SIHD12N50E-GE3 Odbyt
SIHD12N50E-GE3 Dodavatel
SIHD12N50E-GE3 Distributor
SIHD12N50E-GE3 Datová tabulka
SIHD12N50E-GE3 Fotky
SIHD12N50E-GE3 Cena
SIHD12N50E-GE3 Nabídka
SIHD12N50E-GE3 Nejnižší cena
SIHD12N50E-GE3 Vyhledávání
SIHD12N50E-GE3 Nákup
SIHD12N50E-GE3 Chip