SIHD240N60E-GE3
MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252
Číslo dílu
SIHD240N60E-GE3
Výrobce/značka
Série
E
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-PAK (TO-252AA)
Ztráta energie (max.)
78W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
240 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
783pF @ 100V
VGS (max.)
±30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22207 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHD240N60E-GE3
SIHD240N60E-GE3 Elektronické komponenty
SIHD240N60E-GE3 Odbyt
SIHD240N60E-GE3 Dodavatel
SIHD240N60E-GE3 Distributor
SIHD240N60E-GE3 Datová tabulka
SIHD240N60E-GE3 Fotky
SIHD240N60E-GE3 Cena
SIHD240N60E-GE3 Nabídka
SIHD240N60E-GE3 Nejnižší cena
SIHD240N60E-GE3 Vyhledávání
SIHD240N60E-GE3 Nákup
SIHD240N60E-GE3 Chip