SIHD5N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
Číslo dílu
SIHD5N50D-GE3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6848 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHD5N50D-GE3
SIHD5N50D-GE3 Elektronické komponenty
SIHD5N50D-GE3 Odbyt
SIHD5N50D-GE3 Dodavatel
SIHD5N50D-GE3 Distributor
SIHD5N50D-GE3 Datová tabulka
SIHD5N50D-GE3 Fotky
SIHD5N50D-GE3 Cena
SIHD5N50D-GE3 Nabídka
SIHD5N50D-GE3 Nejnižší cena
SIHD5N50D-GE3 Vyhledávání
SIHD5N50D-GE3 Nákup
SIHD5N50D-GE3 Chip