SIHD9N60E-GE3
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Číslo dílu
SIHD9N60E-GE3
Výrobce/značka
Série
E
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-PAK (TO-252AA)
Ztráta energie (max.)
78W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
368 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
778pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 5764 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHD9N60E-GE3
SIHD9N60E-GE3 Elektronické komponenty
SIHD9N60E-GE3 Odbyt
SIHD9N60E-GE3 Dodavatel
SIHD9N60E-GE3 Distributor
SIHD9N60E-GE3 Datová tabulka
SIHD9N60E-GE3 Fotky
SIHD9N60E-GE3 Cena
SIHD9N60E-GE3 Nabídka
SIHD9N60E-GE3 Nejnižší cena
SIHD9N60E-GE3 Vyhledávání
SIHD9N60E-GE3 Nákup
SIHD9N60E-GE3 Chip