Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIHS36N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
Číslo dílu
SIHS36N50D-E3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
SUPER-247 (TO-274AA)
Ztráta energie (max.)
446W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
130 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3233pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48047 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHS36N50D-E3
SIHS36N50D-E3 Elektronické komponenty
SIHS36N50D-E3 Odbyt
SIHS36N50D-E3 Dodavatel
SIHS36N50D-E3 Distributor
SIHS36N50D-E3 Datová tabulka
SIHS36N50D-E3 Fotky
SIHS36N50D-E3 Cena
SIHS36N50D-E3 Nabídka
SIHS36N50D-E3 Nejnižší cena
SIHS36N50D-E3 Vyhledávání
SIHS36N50D-E3 Nákup
SIHS36N50D-E3 Chip