SIHS90N65E-E3
MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
Číslo dílu
SIHS90N65E-E3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
SUPER-247 (TO-274AA)
Ztráta energie (max.)
625W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
87A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
29 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
591nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11826pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51774 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHS90N65E-E3
SIHS90N65E-E3 Elektronické komponenty
SIHS90N65E-E3 Odbyt
SIHS90N65E-E3 Dodavatel
SIHS90N65E-E3 Distributor
SIHS90N65E-E3 Datová tabulka
SIHS90N65E-E3 Fotky
SIHS90N65E-E3 Cena
SIHS90N65E-E3 Nabídka
SIHS90N65E-E3 Nejnižší cena
SIHS90N65E-E3 Vyhledávání
SIHS90N65E-E3 Nákup
SIHS90N65E-E3 Chip