Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIHU3N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK
Číslo dílu
SIHU3N50D-E3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251AA
Ztráta energie (max.)
69W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
175pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30137 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHU3N50D-E3
SIHU3N50D-E3 Elektronické komponenty
SIHU3N50D-E3 Odbyt
SIHU3N50D-E3 Dodavatel
SIHU3N50D-E3 Distributor
SIHU3N50D-E3 Datová tabulka
SIHU3N50D-E3 Fotky
SIHU3N50D-E3 Cena
SIHU3N50D-E3 Nabídka
SIHU3N50D-E3 Nejnižší cena
SIHU3N50D-E3 Vyhledávání
SIHU3N50D-E3 Nákup
SIHU3N50D-E3 Chip