Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIHU4N80E-GE3
MOSFET N-CHAN 800V TO-251
Číslo dílu
SIHU4N80E-GE3
Výrobce/značka
Série
E
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK (TO-251)
Ztráta energie (max.)
69W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.27 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
622pF @ 100V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7954 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIHU4N80E-GE3
SIHU4N80E-GE3 Elektronické komponenty
SIHU4N80E-GE3 Odbyt
SIHU4N80E-GE3 Dodavatel
SIHU4N80E-GE3 Distributor
SIHU4N80E-GE3 Datová tabulka
SIHU4N80E-GE3 Fotky
SIHU4N80E-GE3 Cena
SIHU4N80E-GE3 Nabídka
SIHU4N80E-GE3 Nejnižší cena
SIHU4N80E-GE3 Vyhledávání
SIHU4N80E-GE3 Nákup
SIHU4N80E-GE3 Chip