SIJ186DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L
Číslo dílu
SIJ186DP-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
5W (Ta), 57W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
23A (Ta), 79.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1710pF @ 30V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34021 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIJ186DP-T1-GE3
SIJ186DP-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIJ186DP-T1-GE3 Odbyt
SIJ186DP-T1-GE3 Dodavatel
SIJ186DP-T1-GE3 Distributor
SIJ186DP-T1-GE3 Datová tabulka
SIJ186DP-T1-GE3 Fotky
SIJ186DP-T1-GE3 Cena
SIJ186DP-T1-GE3 Nabídka
SIJ186DP-T1-GE3 Nejnižší cena
SIJ186DP-T1-GE3 Vyhledávání
SIJ186DP-T1-GE3 Nákup
SIJ186DP-T1-GE3 Chip