SIJ188DP-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8
Číslo dílu
SIJ188DP-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.85 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1920pF @ 30V
VGS (max.)
±20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47087 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIJ188DP-T1-GE3
SIJ188DP-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIJ188DP-T1-GE3 Odbyt
SIJ188DP-T1-GE3 Dodavatel
SIJ188DP-T1-GE3 Distributor
SIJ188DP-T1-GE3 Datová tabulka
SIJ188DP-T1-GE3 Fotky
SIJ188DP-T1-GE3 Cena
SIJ188DP-T1-GE3 Nabídka
SIJ188DP-T1-GE3 Nejnižší cena
SIJ188DP-T1-GE3 Vyhledávání
SIJ188DP-T1-GE3 Nákup
SIJ188DP-T1-GE3 Chip