SIR800ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8
Číslo dílu
SIR800ADP-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen IV
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50.2A (Ta), 177A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.35 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3415pF @ 10V
VGS (max.)
+12V, -8V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35352 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIR800ADP-T1-GE3
SIR800ADP-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIR800ADP-T1-GE3 Odbyt
SIR800ADP-T1-GE3 Dodavatel
SIR800ADP-T1-GE3 Distributor
SIR800ADP-T1-GE3 Datová tabulka
SIR800ADP-T1-GE3 Fotky
SIR800ADP-T1-GE3 Cena
SIR800ADP-T1-GE3 Nabídka
SIR800ADP-T1-GE3 Nejnižší cena
SIR800ADP-T1-GE3 Vyhledávání
SIR800ADP-T1-GE3 Nákup
SIR800ADP-T1-GE3 Chip