SIR800DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Číslo dílu
SIR800DP-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
5.2W (Ta), 69W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.3 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
133nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5125pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27675 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIR800DP-T1-GE3
SIR800DP-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIR800DP-T1-GE3 Odbyt
SIR800DP-T1-GE3 Dodavatel
SIR800DP-T1-GE3 Distributor
SIR800DP-T1-GE3 Datová tabulka
SIR800DP-T1-GE3 Fotky
SIR800DP-T1-GE3 Cena
SIR800DP-T1-GE3 Nabídka
SIR800DP-T1-GE3 Nejnižší cena
SIR800DP-T1-GE3 Vyhledávání
SIR800DP-T1-GE3 Nákup
SIR800DP-T1-GE3 Chip