Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIR818DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Číslo dílu
SIR818DP-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
5.2W (Ta), 69W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3660pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39379 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIR818DP-T1-GE3
SIR818DP-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIR818DP-T1-GE3 Odbyt
SIR818DP-T1-GE3 Dodavatel
SIR818DP-T1-GE3 Distributor
SIR818DP-T1-GE3 Datová tabulka
SIR818DP-T1-GE3 Fotky
SIR818DP-T1-GE3 Cena
SIR818DP-T1-GE3 Nabídka
SIR818DP-T1-GE3 Nejnižší cena
SIR818DP-T1-GE3 Vyhledávání
SIR818DP-T1-GE3 Nákup
SIR818DP-T1-GE3 Chip