SIR878DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Číslo dílu
SIR878DP-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® SO-8
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® SO-8
Ztráta energie (max.)
5W (Ta), 44.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
14 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
43nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1250pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8492 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIR878DP-T1-GE3
SIR878DP-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIR878DP-T1-GE3 Odbyt
SIR878DP-T1-GE3 Dodavatel
SIR878DP-T1-GE3 Distributor
SIR878DP-T1-GE3 Datová tabulka
SIR878DP-T1-GE3 Fotky
SIR878DP-T1-GE3 Cena
SIR878DP-T1-GE3 Nabídka
SIR878DP-T1-GE3 Nejnižší cena
SIR878DP-T1-GE3 Vyhledávání
SIR878DP-T1-GE3 Nákup
SIR878DP-T1-GE3 Chip