Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SIS902DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
Číslo dílu
SIS902DN-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 1212-8 Dual
Výkon - Max
15.4W
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8 Dual
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
75V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
186 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
175pF @ 38V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20894 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIS902DN-T1-GE3
SIS902DN-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIS902DN-T1-GE3 Odbyt
SIS902DN-T1-GE3 Dodavatel
SIS902DN-T1-GE3 Distributor
SIS902DN-T1-GE3 Datová tabulka
SIS902DN-T1-GE3 Fotky
SIS902DN-T1-GE3 Cena
SIS902DN-T1-GE3 Nabídka
SIS902DN-T1-GE3 Nejnižší cena
SIS902DN-T1-GE3 Vyhledávání
SIS902DN-T1-GE3 Nákup
SIS902DN-T1-GE3 Chip