SIS903DN-T1-GE3
MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212
Číslo dílu
SIS903DN-T1-GE3
Výrobce/značka
Série
TrenchFET® Gen III
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
PowerPAK® 1212-8 Dual
Výkon - Max
2.6W (Ta), 23W (Tc)
Dodavatelský balíček zařízení
PowerPAK® 1212-8 Dual
Typ FET
2 P-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
20.1 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2565pF @ 10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50677 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SIS903DN-T1-GE3
SIS903DN-T1-GE3 Elektronické komponenty
SIS903DN-T1-GE3 Odbyt
SIS903DN-T1-GE3 Dodavatel
SIS903DN-T1-GE3 Distributor
SIS903DN-T1-GE3 Datová tabulka
SIS903DN-T1-GE3 Fotky
SIS903DN-T1-GE3 Cena
SIS903DN-T1-GE3 Nabídka
SIS903DN-T1-GE3 Nejnižší cena
SIS903DN-T1-GE3 Vyhledávání
SIS903DN-T1-GE3 Nákup
SIS903DN-T1-GE3 Chip