Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SQD100N04-3M6L_GE3
MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Číslo dílu
SQD100N04-3M6L_GE3
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31173 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQD100N04-3M6L_GE3
SQD100N04-3M6L_GE3 Elektronické komponenty
SQD100N04-3M6L_GE3 Odbyt
SQD100N04-3M6L_GE3 Dodavatel
SQD100N04-3M6L_GE3 Distributor
SQD100N04-3M6L_GE3 Datová tabulka
SQD100N04-3M6L_GE3 Fotky
SQD100N04-3M6L_GE3 Cena
SQD100N04-3M6L_GE3 Nabídka
SQD100N04-3M6L_GE3 Nejnižší cena
SQD100N04-3M6L_GE3 Vyhledávání
SQD100N04-3M6L_GE3 Nákup
SQD100N04-3M6L_GE3 Chip