Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SQD10N30-330H_GE3
MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Číslo dílu
SQD10N30-330H_GE3
Výrobce/značka
Série
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
107W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
330 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2190pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42425 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SQD10N30-330H_GE3
SQD10N30-330H_GE3 Elektronické komponenty
SQD10N30-330H_GE3 Odbyt
SQD10N30-330H_GE3 Dodavatel
SQD10N30-330H_GE3 Distributor
SQD10N30-330H_GE3 Datová tabulka
SQD10N30-330H_GE3 Fotky
SQD10N30-330H_GE3 Cena
SQD10N30-330H_GE3 Nabídka
SQD10N30-330H_GE3 Nejnižší cena
SQD10N30-330H_GE3 Vyhledávání
SQD10N30-330H_GE3 Nákup
SQD10N30-330H_GE3 Chip