Obrázek může být reprezentace. Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDV301N
N-Channel 25V 220mA N-Channel, Digital FET, 25V, 0.22A, 4Ω
Číslo dílu
FDV301N
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
onsemi (Ansemi)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
This N-channel logic level enhancement mode field effect transistor is produced using a high cell density DMOS proprietary technology. This very high-density process is ideal for minimizing on-resistance. This device is designed to replace digital transistors in low voltage applications. Because no bias resistor is required, this single N-channel FET can replace several digital transistors with various bias resistor values.
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.