HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDV303N-HXY
N-channel 20V 2.3A
Číslo dílu
FDV303N-HXY
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
HXY MOSFET (Huaxuanyang Electronics)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
MOSFET N-channel, VDSS withstand voltage 20V, ID current 2.3A, RDON on-resistance 55mR@VGS 4.5V(MAX), VGS(th) turn-on voltage 0.5-1.2V,
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 88675 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDV303N-HXY
FDV303N-HXY Elektronické komponenty
FDV303N-HXY Odbyt
FDV303N-HXY Dodavatel
FDV303N-HXY Distributor
FDV303N-HXY Datová tabulka
FDV303N-HXY Fotky
FDV303N-HXY Cena
FDV303N-HXY Nabídka
FDV303N-HXY Nejnižší cena
FDV303N-HXY Vyhledávání
FDV303N-HXY Nákup
FDV303N-HXY Chip