MSKSEMI (Mesenco)
Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
FDV303N
N-channel 2A 30V
Číslo dílu
FDV303N
Kategorie
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Výrobce/značka
MSKSEMI (Mesenco)
Encapsulation
SOT-23
Balení
taping
Počet balíků
3000
Popis
Type: N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 30V Continuous Drain Current (Id): 2A Power (Pd): 1W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 200mΩ@4.5V, 2A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.2V@250uA
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 82056 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova FDV303N
FDV303N Elektronické komponenty
FDV303N Odbyt
FDV303N Dodavatel
FDV303N Distributor
FDV303N Datová tabulka
FDV303N Fotky
FDV303N Cena
FDV303N Nabídka
FDV303N Nejnižší cena
FDV303N Vyhledávání
FDV303N Nákup
FDV303N Chip