Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSB008NE2LXXUMA1
MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
Číslo dílu
BSB008NE2LXXUMA1
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-WDSON
Dodavatelský balíček zařízení
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
46A (Ta), 180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
0.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
343nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
16000pF @ 12V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23742 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSB008NE2LXXUMA1
BSB008NE2LXXUMA1 Elektronické komponenty
BSB008NE2LXXUMA1 Odbyt
BSB008NE2LXXUMA1 Dodavatel
BSB008NE2LXXUMA1 Distributor
BSB008NE2LXXUMA1 Datová tabulka
BSB008NE2LXXUMA1 Fotky
BSB008NE2LXXUMA1 Cena
BSB008NE2LXXUMA1 Nabídka
BSB008NE2LXXUMA1 Nejnižší cena
BSB008NE2LXXUMA1 Vyhledávání
BSB008NE2LXXUMA1 Nákup
BSB008NE2LXXUMA1 Chip