Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSB012N03LX3 G
MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON
Číslo dílu
BSB012N03LX3 G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-WDSON
Dodavatelský balíček zařízení
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
39A (Ta), 180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
169nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
16900pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14868 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSB012N03LX3 G
BSB012N03LX3 G Elektronické komponenty
BSB012N03LX3 G Odbyt
BSB012N03LX3 G Dodavatel
BSB012N03LX3 G Distributor
BSB012N03LX3 G Datová tabulka
BSB012N03LX3 G Fotky
BSB012N03LX3 G Cena
BSB012N03LX3 G Nabídka
BSB012N03LX3 G Nejnižší cena
BSB012N03LX3 G Vyhledávání
BSB012N03LX3 G Nákup
BSB012N03LX3 G Chip