BSB012NE2LX
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2
Číslo dílu
BSB012NE2LX
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-WDSON
Dodavatelský balíček zařízení
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
37A (Ta), 170A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
67nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4900pF @ 12V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47239 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSB012NE2LX
BSB012NE2LX Elektronické komponenty
BSB012NE2LX Odbyt
BSB012NE2LX Dodavatel
BSB012NE2LX Distributor
BSB012NE2LX Datová tabulka
BSB012NE2LX Fotky
BSB012NE2LX Cena
BSB012NE2LX Nabídka
BSB012NE2LX Nejnižší cena
BSB012NE2LX Vyhledávání
BSB012NE2LX Nákup
BSB012NE2LX Chip