Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSB019N03LX G
MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON
Číslo dílu
BSB019N03LX G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-WDSON
Dodavatelský balíček zařízení
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
32A (Ta), 174A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
92nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8400pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23993 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSB019N03LX G
BSB019N03LX G Elektronické komponenty
BSB019N03LX G Odbyt
BSB019N03LX G Dodavatel
BSB019N03LX G Distributor
BSB019N03LX G Datová tabulka
BSB019N03LX G Fotky
BSB019N03LX G Cena
BSB019N03LX G Nabídka
BSB019N03LX G Nejnižší cena
BSB019N03LX G Vyhledávání
BSB019N03LX G Nákup
BSB019N03LX G Chip