Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
BSB053N03LP G
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
Číslo dílu
BSB053N03LP G
Výrobce/značka
Série
OptiMOS™
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
3-WDSON
Dodavatelský balíček zařízení
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Ztráta energie (max.)
2.3W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Ta), 71A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43198 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova BSB053N03LP G
BSB053N03LP G Elektronické komponenty
BSB053N03LP G Odbyt
BSB053N03LP G Dodavatel
BSB053N03LP G Distributor
BSB053N03LP G Datová tabulka
BSB053N03LP G Fotky
BSB053N03LP G Cena
BSB053N03LP G Nabídka
BSB053N03LP G Nejnižší cena
BSB053N03LP G Vyhledávání
BSB053N03LP G Nákup
BSB053N03LP G Chip