Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF60B217
MOSFET N-CH 60V 60A
Číslo dílu
IRF60B217
Výrobce/značka
Série
StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9 mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2230pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39594 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF60B217
IRF60B217 Elektronické komponenty
IRF60B217 Odbyt
IRF60B217 Dodavatel
IRF60B217 Distributor
IRF60B217 Datová tabulka
IRF60B217 Fotky
IRF60B217 Cena
IRF60B217 Nabídka
IRF60B217 Nejnižší cena
IRF60B217 Vyhledávání
IRF60B217 Nákup
IRF60B217 Chip