IRF60DM206
MOSFET N-CH 60V 130A
Číslo dílu
IRF60DM206
Výrobce/značka
Série
StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric ME
Dodavatelský balíček zařízení
DirectFET™ Isometric ME
Ztráta energie (max.)
96W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6530pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45295 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF60DM206
IRF60DM206 Elektronické komponenty
IRF60DM206 Odbyt
IRF60DM206 Dodavatel
IRF60DM206 Distributor
IRF60DM206 Datová tabulka
IRF60DM206 Fotky
IRF60DM206 Cena
IRF60DM206 Nabídka
IRF60DM206 Nejnižší cena
IRF60DM206 Vyhledávání
IRF60DM206 Nákup
IRF60DM206 Chip