IRF60R217
MOSFET N-CH 60V 58A
Číslo dílu
IRF60R217
Výrobce/značka
Série
StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
D-Pak
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.9 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.7V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2170pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 8937 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF60R217
IRF60R217 Elektronické komponenty
IRF60R217 Odbyt
IRF60R217 Dodavatel
IRF60R217 Distributor
IRF60R217 Datová tabulka
IRF60R217 Fotky
IRF60R217 Cena
IRF60R217 Nabídka
IRF60R217 Nejnižší cena
IRF60R217 Vyhledávání
IRF60R217 Nákup
IRF60R217 Chip