Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6201PBF
MOSFET N-CH 20V 27A 8-SO
Číslo dílu
IRF6201PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Dodavatelský balíček zařízení
8-SO
Ztráta energie (max.)
2.5W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
27A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.45 mOhm @ 27A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8555pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37057 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6201PBF
IRF6201PBF Elektronické komponenty
IRF6201PBF Odbyt
IRF6201PBF Dodavatel
IRF6201PBF Distributor
IRF6201PBF Datová tabulka
IRF6201PBF Fotky
IRF6201PBF Cena
IRF6201PBF Nabídka
IRF6201PBF Nejnižší cena
IRF6201PBF Vyhledávání
IRF6201PBF Nákup
IRF6201PBF Chip