Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6655TR1
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SH
Číslo dílu
IRF6655TR1
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric SH
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ SH
Ztráta energie (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.2A (Ta), 19A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.8V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.7nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9800 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6655TR1
IRF6655TR1 Elektronické komponenty
IRF6655TR1 Odbyt
IRF6655TR1 Dodavatel
IRF6655TR1 Distributor
IRF6655TR1 Datová tabulka
IRF6655TR1 Fotky
IRF6655TR1 Cena
IRF6655TR1 Nabídka
IRF6655TR1 Nejnižší cena
IRF6655TR1 Vyhledávání
IRF6655TR1 Nákup
IRF6655TR1 Chip