IRF6674TRPBF
MOSFET N-CH 60V 13.4A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6674TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MZ
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MZ
Ztráta energie (max.)
3.6W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13.4A (Ta), 67A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 13.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1350pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19343 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6674TRPBF
IRF6674TRPBF Elektronické komponenty
IRF6674TRPBF Odbyt
IRF6674TRPBF Dodavatel
IRF6674TRPBF Distributor
IRF6674TRPBF Datová tabulka
IRF6674TRPBF Fotky
IRF6674TRPBF Cena
IRF6674TRPBF Nabídka
IRF6674TRPBF Nejnižší cena
IRF6674TRPBF Vyhledávání
IRF6674TRPBF Nákup
IRF6674TRPBF Chip