Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6702M2DTR1PBF
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6702M2DTR1PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MA
Výkon - Max
2.7W
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MA
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1380pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36190 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6702M2DTR1PBF
IRF6702M2DTR1PBF Elektronické komponenty
IRF6702M2DTR1PBF Odbyt
IRF6702M2DTR1PBF Dodavatel
IRF6702M2DTR1PBF Distributor
IRF6702M2DTR1PBF Datová tabulka
IRF6702M2DTR1PBF Fotky
IRF6702M2DTR1PBF Cena
IRF6702M2DTR1PBF Nabídka
IRF6702M2DTR1PBF Nejnižší cena
IRF6702M2DTR1PBF Vyhledávání
IRF6702M2DTR1PBF Nákup
IRF6702M2DTR1PBF Chip