Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6709S2TRPBF
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1
Číslo dílu
IRF6709S2TRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric S1
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET S1
Ztráta energie (max.)
1.8W (Ta), 21W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta), 39A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1010pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45648 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6709S2TRPBF
IRF6709S2TRPBF Elektronické komponenty
IRF6709S2TRPBF Odbyt
IRF6709S2TRPBF Dodavatel
IRF6709S2TRPBF Distributor
IRF6709S2TRPBF Datová tabulka
IRF6709S2TRPBF Fotky
IRF6709S2TRPBF Cena
IRF6709S2TRPBF Nabídka
IRF6709S2TRPBF Nejnižší cena
IRF6709S2TRPBF Vyhledávání
IRF6709S2TRPBF Nákup
IRF6709S2TRPBF Chip