IRF6710S2TR1PBF
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6710S2TR1PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric S1
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET S1
Ztráta energie (max.)
1.8W (Ta), 15W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta), 37A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1190pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34499 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6710S2TR1PBF
IRF6710S2TR1PBF Elektronické komponenty
IRF6710S2TR1PBF Odbyt
IRF6710S2TR1PBF Dodavatel
IRF6710S2TR1PBF Distributor
IRF6710S2TR1PBF Datová tabulka
IRF6710S2TR1PBF Fotky
IRF6710S2TR1PBF Cena
IRF6710S2TR1PBF Nabídka
IRF6710S2TR1PBF Nejnižší cena
IRF6710S2TR1PBF Vyhledávání
IRF6710S2TR1PBF Nákup
IRF6710S2TR1PBF Chip