IRF6717MTR1PBF
MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6717MTR1PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MX
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 96W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
38A (Ta), 200A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.25 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6750pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43766 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6717MTR1PBF
IRF6717MTR1PBF Elektronické komponenty
IRF6717MTR1PBF Odbyt
IRF6717MTR1PBF Dodavatel
IRF6717MTR1PBF Distributor
IRF6717MTR1PBF Datová tabulka
IRF6717MTR1PBF Fotky
IRF6717MTR1PBF Cena
IRF6717MTR1PBF Nabídka
IRF6717MTR1PBF Nejnižší cena
IRF6717MTR1PBF Vyhledávání
IRF6717MTR1PBF Nákup
IRF6717MTR1PBF Chip