Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6722STR1PBF
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6722STR1PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric ST
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ ST
Ztráta energie (max.)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Ta), 58A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.3 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1320pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46509 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6722STR1PBF
IRF6722STR1PBF Elektronické komponenty
IRF6722STR1PBF Odbyt
IRF6722STR1PBF Dodavatel
IRF6722STR1PBF Distributor
IRF6722STR1PBF Datová tabulka
IRF6722STR1PBF Fotky
IRF6722STR1PBF Cena
IRF6722STR1PBF Nabídka
IRF6722STR1PBF Nejnižší cena
IRF6722STR1PBF Vyhledávání
IRF6722STR1PBF Nákup
IRF6722STR1PBF Chip