IRF6723M2DTR1P
MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6723M2DTR1P
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Cut Tape (CT)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MA
Výkon - Max
2.7W
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MA
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Logic Level Gate
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
15A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1380pF @ 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13269 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6723M2DTR1P
IRF6723M2DTR1P Elektronické komponenty
IRF6723M2DTR1P Odbyt
IRF6723M2DTR1P Dodavatel
IRF6723M2DTR1P Distributor
IRF6723M2DTR1P Datová tabulka
IRF6723M2DTR1P Fotky
IRF6723M2DTR1P Cena
IRF6723M2DTR1P Nabídka
IRF6723M2DTR1P Nejnižší cena
IRF6723M2DTR1P Vyhledávání
IRF6723M2DTR1P Nákup
IRF6723M2DTR1P Chip