Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6729MTRPBF
MOSFET N-CH 30V 31A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6729MTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MX
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Ta), 190A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.8 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6030pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 18689 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6729MTRPBF
IRF6729MTRPBF Elektronické komponenty
IRF6729MTRPBF Odbyt
IRF6729MTRPBF Dodavatel
IRF6729MTRPBF Distributor
IRF6729MTRPBF Datová tabulka
IRF6729MTRPBF Fotky
IRF6729MTRPBF Cena
IRF6729MTRPBF Nabídka
IRF6729MTRPBF Nejnižší cena
IRF6729MTRPBF Vyhledávání
IRF6729MTRPBF Nákup
IRF6729MTRPBF Chip