Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6775MTR1PBF
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Číslo dílu
IRF6775MTR1PBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MZ
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MZ
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
150V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.9A (Ta), 28A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
56 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1411pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42885 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRF6775MTR1PBF
IRF6775MTR1PBF Elektronické komponenty
IRF6775MTR1PBF Odbyt
IRF6775MTR1PBF Dodavatel
IRF6775MTR1PBF Distributor
IRF6775MTR1PBF Datová tabulka
IRF6775MTR1PBF Fotky
IRF6775MTR1PBF Cena
IRF6775MTR1PBF Nabídka
IRF6775MTR1PBF Nejnižší cena
IRF6775MTR1PBF Vyhledávání
IRF6775MTR1PBF Nákup
IRF6775MTR1PBF Chip