Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRF6798MTRPBF

IRF6798MTRPBF

MOSFET N-CH 25V 37A DIRECTFET-MX
Číslo dílu
IRF6798MTRPBF
Výrobce/značka
Série
HEXFET®
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DirectFET™ Isometric MX
Dodavatelský balíček zařízení
DIRECTFET™ MX
Ztráta energie (max.)
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Body)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
25V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
37A (Ta), 197A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.3 mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.35V @ 150µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
75nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6560pF @ 13V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31526 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IRF6798MTRPBF
IRF6798MTRPBF Elektronické komponenty
IRF6798MTRPBF Odbyt
IRF6798MTRPBF Dodavatel
IRF6798MTRPBF Distributor
IRF6798MTRPBF Datová tabulka
IRF6798MTRPBF Fotky
IRF6798MTRPBF Cena
IRF6798MTRPBF Nabídka
IRF6798MTRPBF Nejnižší cena
IRF6798MTRPBF Vyhledávání
IRF6798MTRPBF Nákup
IRF6798MTRPBF Chip