Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL60B216
MOSFET N-CH 60V 195A
Číslo dílu
IRL60B216
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
258nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
15570pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44881 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL60B216
IRL60B216 Elektronické komponenty
IRL60B216 Odbyt
IRL60B216 Dodavatel
IRL60B216 Distributor
IRL60B216 Datová tabulka
IRL60B216 Fotky
IRL60B216 Cena
IRL60B216 Nabídka
IRL60B216 Nejnižší cena
IRL60B216 Vyhledávání
IRL60B216 Nákup
IRL60B216 Chip