IRL60S216
MOSFET N-CH 60V 195A
Číslo dílu
IRL60S216
Výrobce/značka
Série
HEXFET®, StrongIRFET™
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
375W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
195A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
255nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
15330pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 50853 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL60S216
IRL60S216 Elektronické komponenty
IRL60S216 Odbyt
IRL60S216 Dodavatel
IRL60S216 Distributor
IRL60S216 Datová tabulka
IRL60S216 Fotky
IRL60S216 Cena
IRL60S216 Nabídka
IRL60S216 Nejnižší cena
IRL60S216 Vyhledávání
IRL60S216 Nákup
IRL60S216 Chip