Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IRL60HS118
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Číslo dílu
IRL60HS118
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-VDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
6-PQFN (2x2)
Ztráta energie (max.)
11.5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
17 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 10µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21651 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IRL60HS118
IRL60HS118 Elektronické komponenty
IRL60HS118 Odbyt
IRL60HS118 Dodavatel
IRL60HS118 Distributor
IRL60HS118 Datová tabulka
IRL60HS118 Fotky
IRL60HS118 Cena
IRL60HS118 Nabídka
IRL60HS118 Nejnižší cena
IRL60HS118 Vyhledávání
IRL60HS118 Nákup
IRL60HS118 Chip