Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTK100N25P

IXTK100N25P

MOSFET N-CH 250V 100A TO-264
Číslo dílu
IXTK100N25P
Výrobce/značka
Série
PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264 (IXTK)
Ztráta energie (max.)
600W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
27 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
185nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51584 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXTK100N25P
IXTK100N25P Elektronické komponenty
IXTK100N25P Odbyt
IXTK100N25P Dodavatel
IXTK100N25P Distributor
IXTK100N25P Datová tabulka
IXTK100N25P Fotky
IXTK100N25P Cena
IXTK100N25P Nabídka
IXTK100N25P Nejnižší cena
IXTK100N25P Vyhledávání
IXTK100N25P Nákup
IXTK100N25P Chip