Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTK120N20P
MOSFET N-CH 200V 120A TO-264
Číslo dílu
IXTK120N20P
Výrobce/značka
Série
PolarHT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264 (IXTK)
Ztráta energie (max.)
714W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
152nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25867 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTK120N20P
IXTK120N20P Elektronické komponenty
IXTK120N20P Odbyt
IXTK120N20P Dodavatel
IXTK120N20P Distributor
IXTK120N20P Datová tabulka
IXTK120N20P Fotky
IXTK120N20P Cena
IXTK120N20P Nabídka
IXTK120N20P Nejnižší cena
IXTK120N20P Vyhledávání
IXTK120N20P Nákup
IXTK120N20P Chip