Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTK110N30
MOSFET N-CH 300V 110A TO-264
Číslo dílu
IXTK110N30
Výrobce/značka
Série
MegaMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264 (IXTK)
Ztráta energie (max.)
730W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
300V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
390nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7800pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45482 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTK110N30
IXTK110N30 Elektronické komponenty
IXTK110N30 Odbyt
IXTK110N30 Dodavatel
IXTK110N30 Distributor
IXTK110N30 Datová tabulka
IXTK110N30 Fotky
IXTK110N30 Cena
IXTK110N30 Nabídka
IXTK110N30 Nejnižší cena
IXTK110N30 Vyhledávání
IXTK110N30 Nákup
IXTK110N30 Chip