Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTK160N20
MOSFET N-CH 200V 160A TO-264
Číslo dílu
IXTK160N20
Výrobce/značka
Série
MegaMOS™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264 (IXTK)
Ztráta energie (max.)
730W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
13 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
415nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
12900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48227 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTK160N20
IXTK160N20 Elektronické komponenty
IXTK160N20 Odbyt
IXTK160N20 Dodavatel
IXTK160N20 Distributor
IXTK160N20 Datová tabulka
IXTK160N20 Fotky
IXTK160N20 Cena
IXTK160N20 Nabídka
IXTK160N20 Nejnižší cena
IXTK160N20 Vyhledávání
IXTK160N20 Nákup
IXTK160N20 Chip