Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTK17N120L

IXTK17N120L

MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264
Číslo dílu
IXTK17N120L
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264 (IXTK)
Ztráta energie (max.)
700W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
900 mOhm @ 8.5A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 15V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
8300pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42472 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXTK17N120L
IXTK17N120L Elektronické komponenty
IXTK17N120L Odbyt
IXTK17N120L Dodavatel
IXTK17N120L Distributor
IXTK17N120L Datová tabulka
IXTK17N120L Fotky
IXTK17N120L Cena
IXTK17N120L Nabídka
IXTK17N120L Nejnižší cena
IXTK17N120L Vyhledávání
IXTK17N120L Nákup
IXTK17N120L Chip