Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTK200N10L2
MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
Číslo dílu
IXTK200N10L2
Výrobce/značka
Série
Linear L2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-264 (IXTK)
Ztráta energie (max.)
1040W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
540nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36578 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTK200N10L2
IXTK200N10L2 Elektronické komponenty
IXTK200N10L2 Odbyt
IXTK200N10L2 Dodavatel
IXTK200N10L2 Distributor
IXTK200N10L2 Datová tabulka
IXTK200N10L2 Fotky
IXTK200N10L2 Cena
IXTK200N10L2 Nabídka
IXTK200N10L2 Nejnižší cena
IXTK200N10L2 Vyhledávání
IXTK200N10L2 Nákup
IXTK200N10L2 Chip